IBM et Samsung ont annoncé conjointement une conception de puce révolutionnaire qui pourrait conduire à des gains de performances majeurs et une semaine complète d’autonomie pour votre téléphone.
La nouvelle puce de transistors à effet de champ de transport vertical (VTFET), co-développée au complexe nanotechnologique d’Albany à New York, présente en son cœur une architecture verticale plutôt que la méthode plate habituelle.
En empilant des transistors les uns sur les autres plutôt que la méthode côte à côte habituelle, cette puce VTFET augmentera considérablement le plafond en termes de nombre de transistors pouvant être emballés dans une petite surface. Il améliorera également les points de contact des transistors, « permettant ainsi un plus grand flux de courant avec moins d’énergie gaspillée ».
Les avantages qui en résultent promettent d’être spectaculaires. IBM et Samsung sont prédire qu’il réduira la consommation d’énergie de 85 % par rapport aux puces à transistors à effet de champ (finFET) comparables, tandis qu’une double amélioration des performances est également prévue.
Sur le plan de l’efficacité, on prétend que cela conduira à « des batteries de téléphones portables qui pourraient durer plus d’une semaine sans être chargées, au lieu de plusieurs jours ».
Naturellement, un tel matériel hautes performances à faible consommation d’énergie représenterait un énorme coup de pouce pour l’Internet des objets (IoT).
Cela semble arriver à un moment idéal, car la loi de Moore – le principe de longue date selon lequel le nombre de transistors et donc les performances des puces doubleront tous les deux ans – a récemment heurté les limites de la physique. L’ancienne méthode de production à plat n’apportera tout simplement pas les gains énormes et réguliers qu’elle a fait pendant de nombreuses années.
